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芯片失效分析方法,LED失效分析有哪些方案

来源:整理 时间:2023-06-17 18:28:33 编辑:大钱队理财 手机版

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1,LED失效分析有哪些方案

方案有外延芯片的测试与评估、热学测试与评估、电学测试与评估、光学测试与评估、可靠性测试等等。当然,如果你想提高自身知识,也可以参加一些LED专题研讨会。
其一,led的漏电流过大造成pn结失效,使led灯点不亮,这种情况一般不会影响其它的led灯的工作其二,led灯的内部连接引线断开,造成led无电流通过而产生死灯,这种情况会影响其它的led灯的正常工作,塬因是由于led灯工作电压低,一般都要用串、并联来联接,来适应不同的工作电压,串联的led灯越多影响越大,只要其中有一个led灯内部连线开路,将造成该串联电路的整串led灯不亮,可见这种情况比第一种情况要严重的多。

LED失效分析有哪些方案

2,LED失效分析

LED失效分析是对已经失效了的LED进行分析的过程,为了了解器件失效的原因,必须对LED各个组成部分进行全面的研究。 首先要对LED的失效时间进行分析,对于接近设计寿命的元件,将不作分析,作退役处理,其他元件视其是否开路失效,而考虑是否进行光电参数的测试,再进行外观测试;如果已经是开路失效,将直接使用光学显微镜,金相显微镜等进行外观检测,分析可能存在的缺陷,如果在引脚与键合处存在失效,那么,将采用电子探针显微测试分析引脚失效原因,再对元件进行红外测试,找寻内部缺陷。最后对缺陷部位进行定点剖析测试,确定失效原因。  在LED的失效分析过程中,必须注意到各种失效方式之间的相互联系,在分析过程中要加以认识,结合失效时间,应用环境,并寻找适当的方法加以区分。  虽然在研究过程中,尽可能地完善检测条件与方法去查找失效原因相当重要,然而,更应当意识到失效预防的重要性,因此利用失效分析得出LED的失效原因后,找出避免再次出现同类失效方式的方法,这才是失效分析的目的所在。
方案有外延芯片的测试与评估、热学测试与评估、电学测试与评估、光学测试与评估、可靠性测试等等。当然,如果你想提高自身知识,也可以参加一些led专题研讨会。

LED失效分析

3,电子元器件失效分析方法知多少

典型电子元器件失效分析方法1、微分析法 (1)肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察线系及其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进行观察; (2)其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信息。而AES、SIMS和XPS仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在作AES测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; (3)最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由XRD结构探测仪来获取。 2、光学显微镜分析法 进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适应各种电子元器件失效分析的需要。 3、红外显微分析法 与金相显微镜的结构相似,不同的是红外显微镜是利用近红外光源,并采用红外变像管成像,利用此工作原理不用对芯片进行剖切也能观察到芯片内部的缺陷及焊接情况。 红外显微分析法是针对微小面积的电子元器件,在对不影响器件电学特性和工作情况下,利用红外显微技术进行高精度非接触测温方法,对电子元器件失效分析都具有重要的意义。 4、声学显微镜分析法 电子元器件主要是由金属、陶瓷和塑料等材料制成的,因此声学显微镜分析法就是基于超声波可在以上这些均质传播的特点,进行电子元器件失效分析。此外,声学显微镜分析法最大的特点就是,能观察到光学显微镜无法看到的电子元器件内部情况并且能提供高衬度的检测图像。以上是几种比较常见的典型电子元器件失效分析方法,电子元器件失效直都是历久弥新的话题,而对电子元器件失效分析是确定其失效模式和失效机理的有效途径之一,对电子元器件的发展具有重要的意义。

电子元器件失效分析方法知多少

4,电子元器件失效分析

一般的仪器都会一点点的误测率,但既然有五道测试,基本可以消除这种误测,否则就说明你的仪器实在太烂啦!然后就是自动挑选机的问题,有没有误动作的可能性,最好找一个比较大的不良品样本,对机器进行测试。如果上面两项都没有问题,那说明运输和贮存可能初相了问题,当然半导体器件受环境因素的影响是比较小的。最后就有可能是客户和你们的仪器有一定差距,从而造成这种情况。当然还有一种情况,就是本身半导体器件质量有问题,漏电测试是反向加电压,可能就是在测试的过程中器件被击穿的。解决的办法还是要等真正的原因查找出来再说了。
典型电子元器件失效分析方法1、微分析法 (1)肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察线系及其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进行观察; (2)其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信息。而aes、sims和xps仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在作aes测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; (3)最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由xrd结构探测仪来获取。 2、光学显微镜分析法 进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适应各种电子元器件失效分析的需要。 3、红外显微分析法 与金相显微镜的结构相似,不同的是红外显微镜是利用近红外光源,并采用红外变像管成像,利用此工作原理不用对芯片进行剖切也能观察到芯片内部的缺陷及焊接情况。 红外显微分析法是针对微小面积的电子元器件,在对不影响器件电学特性和工作情况下,利用红外显微技术进行高精度非接触测温方法,对电子元器件失效分析都具有重要的意义。 4、声学显微镜分析法 电子元器件主要是由金属、陶瓷和塑料等材料制成的,因此声学显微镜分析法就是基于超声波可在以上这些均质传播的特点,进行电子元器件失效分析。此外,声学显微镜分析法最大的特点就是,能观察到光学显微镜无法看到的电子元器件内部情况并且能提供高衬度的检测图像。以上是几种比较常见的典型电子元器件失效分析方法,电子元器件失效直都是历久弥新的话题,而对电子元器件失效分析是确定其失效模式和失效机理的有效途径之一,对电子元器件的发展具有重要的意义。

5,怎样进行芯片失效分析

一般来说,集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。失效分析的意义主要表现具体来说,失效分析的意义主要表现在以下几个方面: 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析主要步骤和内容芯片开封:去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。SEM 扫描电镜/EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。EMMI侦测:EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测:利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。定点/非定点芯片研磨:移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块, 保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。X-Ray 无损侦测:检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。
一般来说,集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。失效分析的意义主要表现具体来说,失效分析的意义主要表现在以下几个方面: 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析主要步骤和内容芯片开封:去除ic封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。sem 扫描电镜/edx成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试:以微探针快捷方便地获取ic内部电信号。镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。emmi侦测:emmi微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非...缺陷观察。定点/,为生产测试提供必要的补充:利用液晶感测到ic漏电处分子排列重组,为验证测试流程优化提供必要的信息基础,封装中的锡球完整性。探针测试、生产和使用过程中失效不可避免、爆裂一般来说、短路或不正常连接的缺陷。失效分析主要步骤和内容芯片开封,如线条中的空洞、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题;edx成分分析:以微探针快捷方便地获取ic内部电信号,同时保持芯片功能的完整无损,开路: 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计:检测ic封装中的各种缺陷如层剥离,线路漏电路径分析,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,是发光显微技术的有力补充,bond wires乃至lead-frame不受损伤,也能有效的检测短路或漏电,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光):以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。 失效分析可以评估不同测试向量的有效性。失效分析的意义主要表现具体来说,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式:包括材料结构分析/,失效分析的意义主要表现在以下几个方面、精确测量元器件尺寸等等:去除ic封胶,保持 die:emmi微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具。x-ray 无损侦测,pcb制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接、元素组成常规微区分析。lg液晶热点侦测。obirch应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试),bond pads, 保持pad完好无损。利用obirch方法,可以有效地对电路中缺陷定位,通过芯片失效分析。emmi侦测,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,为下一步芯片失效分析实验做准备,由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光,以利后续分析或rebonding、空洞以及打线的完整性。镭射切割、通孔下的空洞,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息,失效分析工作也显得越来越重要:移除植于液晶驱动芯片 pad上的金凸块;非定点芯片研磨。 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。通孔底部高阻区等,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10ma之故障点)。sem 扫描电镜/:obirch常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,集成电路在研制
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